机译:通过金属有机化学气相沉积生长的高峰值电流密度应变层In0.3Ga0.7as / al0.8Ga0.2as共振隧穿二极管
机译:通过金属有机化学气相沉积法生长的AIN / GaN双势垒共振隧穿二极管
机译:金属 - 有机化学气相沉积GaAs / Alas双屏障共振隧道二极管的生长
机译:化学气相沉积生长的Si / SiGe共振带间隧穿二极管的硼δ掺杂依赖性
机译:基于INP的应变在{sub} 0.8ga} 0.2as / alas共振INP的{sub} 0.8ga {sub} 0.2as / alas谐振隧道二极管中具有高峰电流密度和大峰 - 由金属 - 有机气相外延生长的谷电流比
机译:通过固体源金属有机化学气相沉积法生长的外延氧化物薄膜。
机译:金属有机化学气相沉积在蓝宝石衬底上生长的低Al成分p-GaN / Mg掺杂Al0.25Ga0.75N / n + -GaN极化诱导的反向隧穿结
机译:硼三角洲掺杂对化学气相沉积生长的si / siGe谐振带间隧穿二极管的依赖性
机译:通过金属有机化学气相沉积生长Inassb / InGaas应变层超晶格中界面的优化